AT45DB021E-SHN-T 2Mbit प्रोग्राम करने योग्य आईसी चिप 1.65V न्यूनतम एसपीआई सीरियल फ्लैश मेमोरी चिप

AT45DB021E-SHN-T 2Mbit डेटा फ्लैश (अतिरिक्त 64-केबीट्स के साथ), 1.65V न्यूनतम एसपीआई सीरियल फ्लैश मेमोरी आईसी

विवरण

एडस्टो® AT45DB021E एक 1.65V न्यूनतम है, सीरियल-इंटरफेस अनुक्रमिक पहुंच फ्लैश मेमोरी आदर्श रूप से डिजिटल वॉयस, छवि, प्रोग्राम कोड और डेटा स्टोरेज अनुप्रयोगों की विस्तृत विविधता के लिए उपयुक्त है। AT45DB021E बहुत उच्च स्पीड ऑपरेशन की आवश्यकता वाले अनुप्रयोगों के लिए रैपिड्स सीरियल इंटरफ़ेस का भी समर्थन करता है। इसकी 2,162,688 बिट्स मेमोरी को 256 बाइट्स या 264 बाइट्स के 1,024 पृष्ठों के रूप में व्यवस्थित किया जाता है। मुख्य स्मृति के अतिरिक्त, AT45DB021E में 256/264 बाइट्स का एक SRAM बफर भी शामिल है। बफर को अतिरिक्त सिस्टम स्क्रैच मेमोरी के रूप में उपयोग किया जा सकता है, और ई 2 प्रोम इम्यूलेशन (बिट या बाइट अल्टेबिलिटी) आसानी से एक स्व-निहित तीन चरण पढ़ने-संशोधित-लेखन ऑपरेशन के साथ संभाला जा सकता है। पारंपरिक फ्लैश यादों के विपरीत जो कई एड्रेस लाइनों और समानांतर इंटरफ़ेस के साथ यादृच्छिक रूप से उपयोग किए जाते हैं, एडस्टो डेटाफ्लैश® अनुक्रमिक रूप से अपने डेटा तक पहुंचने के लिए एक सीरियल इंटरफ़ेस का उपयोग करता है। सरल अनुक्रमिक पहुंच नाटकीय रूप से सक्रिय पिन गिनती को कम करता है, सरलीकृत हार्डवेयर लेआउट को सुविधाजनक बनाता है, सिस्टम विश्वसनीयता बढ़ाता है, शोर स्विचिंग को कम करता है, और पैकेज आकार को कम करता है। डिवाइस को कई वाणिज्यिक और औद्योगिक अनुप्रयोगों में उपयोग के लिए अनुकूलित किया गया है जहां उच्च घनत्व, कम पिन गणना, कम वोल्टेज, और कम शक्ति आवश्यक है। सरल इन-सिस्टम पुन: प्रोग्राम योग्यता की अनुमति देने के लिए, AT45DB021E को प्रोग्रामिंग के लिए उच्च इनपुट वोल्टेज की आवश्यकता नहीं है। उपकरण मिटाने और कार्यक्रम के लिए 1.65V से 3.6V बिजली की आपूर्ति से संचालित होता है और संचालन पढ़ता है। AT45DB021E चिप चयन पिन (सीएस) के माध्यम से सक्षम है और 3-वायर इंटरफेस के माध्यम से सीरियल इनपुट (एसआई), सीरियल आउटपुट (एसओ), और सीरियल क्लॉक (एससीके) शामिल है। सभी प्रोग्रामिंग और मिटा चक्र स्वयं-समय होते हैं।

उत्पादक	एडस्टो टेक्नोलॉजीज
शृंखला	-
पैकेजिंग	टेप और रील (टीआर)
भाग स्थिति	सक्रिय
मेमोरी प्रकार	गैर वाष्पशील
मेमोरी प्रारूप	फ़्लैश
प्रौद्योगिकी	फ़्लैश
मेमोरी क्षमता	2 एमबी (264 बाइट्स x 1024 पेज)
घड़ी आवृत्ति	70MHz
साइकिल समय लिखें - शब्द, पृष्ठ	8μs, 3ms
मेमोरी इंटरफेस	एसपीआई
वोल्टेज आपूर्ति	1.65 वी ~ 3.6 वी
परिचालन तापमान	-40 डिग्री सेल्सियस ~ 85 डिग्री सेल्सियस (टीसी)
माउन्टिंग का प्रकार	माउंट सतह
पैकेज / केस	8-एसओआईसी (0.20 9 ", 5.30 मिमी चौड़ाई)
प्रदायक डिवाइस पैकेज	8-SOIC